今年の世界半導体設備投資は6%増の723億ドルに

図1　2017年における半導体設備投資額トップ11社　出典：IC Insights

注）第3位のTSMCが2位となっているが、3位のミスである。

今年、半導体メーカーで設備投資額の最も大きい所はSamsung、次がIntel、そしてTSMCという順番だ。SamsungはDRAM、NANDフラッシュ、ファウンドリという設備投資を常に行っていなければ勝てないビジネスを行っているから、設備投資額が大きいのは納得できる。逆に、メモリとファウンドリの事業では全く新しいコンセプトはさほど出てこないため、研究開発投資は少ない。同社の研究開発投資はBroadcomよりも低い第4位となっている(参考資料1)。

2位のIntelはこれまでのPC向けマイクロプロセッサ会社から大きく脱皮を図っており、パソコン市場が縮小する逆風にもかかわらず5%程度のプラス成長を確保している。それもパソコン向けのCPUからコンピュータボードEdisonやCurie、Joule、さらにはハイエンドのNUC（Next Unit of Computing）などのボード/モジュールビジネスも行っている。プロセッサも組み込みシステム(これに送受信回路を追加するとIoTデバイスになる)のAtomから、サーバーやHPC（高性能コンピューティング）向けのXeonに至る、ほとんど全ての分野をカバーする。最近ではさらにAI（人工知能）向けのプロセッサも開発しているようだ。このため研究開発費だけではなく、設備投資費も大きい。

第3位のTSMCは前年比2%減ながら設備投資額は100億ドルと、その投資金額は引き続き大きい。

伸びが前年比25%以上の大きなメーカーは、Intelの25%に加え、GobalFoundriesの33%増の20億ドル、STMicroelectronicsの73%増の10億5000万ドルとなっている。このうち、GFは2016年が前年比62%減と大きく減らしたため、少し戻すという感じだ。IC Insightsは、GFが10nmプロセス投資をスキップして7nmへジャンプするために増やすのではないかとみている。

Samsung、SK Hynix、Micronなどのメモリメーカーは2017年には前年比で、それぞれ11%増、16%増、13%減となっている。SamsungとSK Hynixは2016年にDRAM市場の軟化により、それぞれ13%減、14%減と減らしてきたが、今年は需要が高まるとしてプラス成長を見込んでいる。Micronは、2016年に3D-NANDフラッシュへの投資として、前年比28%増としたが、今年は少し減らしている。

参考資料
1. 半導体の研究開発費、Intelが5%増で大きくトップ (2017/02/21)