iPadやギャラクシータブなどのメディアタブレットをはじめ、iPhoneやアンドロイドベースのスマートフォン。表示内容の表現力を豊かにするのがストレージデバイスです。次世代の携帯機器はオーディオやビデオ、それもフルHDビデオのコンテンツも蓄えられるほど十分な容量がのります。大本命のNANDフラッシュとHDD、さらにはReRAMやスピントロニクスMRAM、などの新型メモリーも気になります。ストレージデバイスの全貌をお伝えすることが本セミナーの目的です。
本フォーラムでは、NANDフラッシュを国内で唯一生産する東芝のシニアエンジニア2名の方がプロセス、実装の両面から解説します。また、市場動向、HDDの高密度化、スピントロニクスの利用により高集積化が可能なMRAM、さらに最近注目を集めているReRAM、そしてNEDOの描くロードマップについてお話をいただきます。技術の可能性と、新たに開けてきたアプリケーションによって新たな半導体の市場が見えてきます。将来性のあるお話しを各分野のエンジニアの方々から直接お聞きすることができる貴重な機会です。
皆様のご参加を心よりお待ちしております。
■プログラム
（プログラムは変更になる場合があります）2011年3月22日（火）
| 10:00 |
次世代携帯機器をけん引するストレージデバイス 株式会社セミコンダクタポータル 編集長 津田建二 |
| 10:15 |
「NANDストレージ形態の動向と実装」 株式会社東芝 セミコンダクター社 メモリー事業部フラッシュ・カード技術部 明島 周三氏 講演概要： フラッシュメモリストレージはアプリケーションに分けると、カード、eMMC、SSDが存在します。それぞれの高容量、薄型要求に答えるには非常に特殊な実装技術が必要になります。各アプリケーションが今後どのような形態となっていくのかを顧客要求事項にあわせて解説し、勝つための戦略ポイントについて説明します。 |
| 11:00 |
「大容量NANDフラッシュメモリの技術開発状況」 株式会社東芝 セミコンダクター社 メモリー技師長 百冨 正樹氏 講演概要： ますます微細化および大容量化がすすんでいるNANDフラッシュメモリについて、最新の20nm世代の技術、三次元積層構造メモリセルの開発状況を中心に発表します。 |
| 11:45 |
「HDDを中心とした今後のストレージデバイス市場の展望」 株式会社テクノ・システム・リサーチ シニアディレクター 馬籠 敏夫氏 講演概要： 1990年代から2010年までのストレージ市場を振り返りながら2011年以降の新たな時代でのストレージ市場を展望します。ここでのキーファクターは、"Networking"、"Digitalization"、"Imaging"及び"Mobility"の促進と進化にあります。当然ながら、こうした時代ではクラウドコンピューティングは無視できません。 そこで、各々のストレージはどのような役割を演じて、かつすみわけが出来るのか？およそ25ヶ年間HDDなどの補助記憶装置の市場をみてきた立場から概観します。 |
| 12:30 | ランチブレーク |
| 13:30 |
「HDD大容量化技術の最先端と将来展望」 株式会社日立製作所 研究開発本部 主管研究長 城石 芳博氏 講演概要： 情報のデジタル化の急速な進展と共に、生成されるデジタル情報は指数関数的に増大し、2011年には1.8×1021 Bに達すると見積もられています。このため、大容量ストレージの主役であるHDDの更なる高密度化、大容量化が喫緊の課題となっています。本講演では、フラッシュメモリー技術などと対比しながら、HDDにおける高密度化技術の最先端の研究開発状況と将来展望を概説します。 |
| 14:15 |
「STT RAMによる不揮発性メモリの低消費電力システムへの新展開」 東北大学 学際科学国際高等研究センター 教授 / 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター 副センター長 遠藤 哲郎氏 講演概要： 電子機器の性能を今後とも向上させていくためには、ロジックが要求するメモリバンド幅の達成と、各メモリ階層間のスピードギャップの解消と、消費電力の抑制が強く求められています。 本講演では、上記視点から、近年の不揮発性ワーキングメモリとして注目されているスピントロニクスメモリの代表であるSTTRAMの現状と本技術のインパクトを論じます。さらに、STTRAMを半導体CMOSロジックと高次に融合させる不揮発性ロジックを紹介し、将来の超低消費電力システムの観点から不揮発性RAMのロジック技術への波及効果を論じます。 |
| 15:00 | コーヒーブレーク |
| 15:15 |
「ReRAMチップの開発と見通し」 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター 副研究センター長 主任研究員 秋永 広幸氏 講演概要： Resistance Random Access Memory (ReRAM あるいはRRAM) は、高速かつ低消費電力動作を実現する新しい超大容量不揮発性メモリとして注目を集め、極めて急速にその研究開発が進められるようになってきました。単純なメモリセル構造であるばかりでなく、既存の半導体プロセスとの整合性も高く、ビットコスト競争力においても優れたメモリになると考えられています。本講演では、ReRAM研究開発の経緯、最新動向から現状における技術課題などを説明して頂きます。 |
| 16:00 |
「HDDの高密度化へのロードマップと今後の見通し」 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 電子・材料・ナノテクノロジー部長 中山 亨氏 講演概要： 情報通信技術の向上、普及に伴い電子データ量は莫大に増え続けており、このデータを蓄積するための大規模なストレージが必須になっています。フラッシュメモリは携帯端末の小型薄型化に伴い、急速に普及拡大しています。しかし、今後予想される莫大なデータ蓄積をフラッシュメモリが担うことになるのでしょううか？NEDOでは、容量、コスト、使用環境からHDDが大容量のデータ蓄積用ストレージの主流になり、携帯性、高速性、低消費電力性を求められるストレージはフラッシュや各種個体素子がその役割を担うと予測しています。本講演ではフラッシュメモリの台頭からHDDの将来像を予測し、HDDの開発ロードマップ及びNEDOのHDD開発プロジェクトについて紹介します。 |
| 16:45 | 全体の質疑応答&名刺交換会 |
■参加申込
＜参加費用＞
| 【早期割引】 〜3/10(木)まで |
【通常】 3/11（金）以降 |
|
| セミコンポータル会員 | 23,000円(税込) | 25,000円(税込) |
| 一般 | 29,000円(税込) | 32,000円(税込) |
(上記価格にテキスト代を含みます)
※3月11日以降のキャンセルはお受けできませんので、代理の方のご出席をお願いします。
それぞれセミコンポータルの窓口の方にご確認ください。
まだ会員でない方は、是非この機会にセミコンポータル会員のご加入をご検討下さい。セミコンポータル会員になられると、www.semiconportal.comのコンテンツやニュースがすべて自由にご覧になることができ、また主たる特典として、SPIフォーラムへの招待枠(無料）参加もしくは20%OFF参加、エグゼクティブサマリーレポート配布などがあります。
会員の詳細・お申し込み方法は、下記Webサイトをご覧ください。
http://www.semiconportal.com/about/service.html
＜募集人員＞
80名
＜お申込み方法＞
参加受付は終了しました。
＜オンライン登録期間＞
2011年2月15日（火）〜3月21日（月）
満員になり次第、締め切らせて頂きます。
■会場・アクセス
主婦会館プラザエフ スイセン(8F) *会議室が変更となりましたhttp://www.plaza-f.or.jp/room_index.html
〒102-0085 東京都千代田区六番町15番地
TEL 03-3265-8111
・JR四ツ谷駅 麹町口前（徒歩1分）
・地下鉄南北線 / 丸の内線 四ツ谷駅（徒歩3分）
交通、地図の詳細は下記URLをご参照下さい。
http://www.plaza-f.or.jp/access_index.html
■セミナー事務局
株式会社セミコンダクタポータル〒107-0052 東京都港区赤坂2-17-22 赤坂ツインタワー東館17F
TEL: 03-3560-3565
FAX: 03-3560-3566
e-mail: spiforum@semiconportal.com