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コンピューティング

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Intelがこれからのプロセスとパッケージング技術の2025年までのロードマップを発表した。プロセス製造技術とパッケージング技術の両方を活かし、Intel 7からIntel 4、Intel 3、Intel 20A、さらにIntel 18Aと呼ぶプロセスノードを設定し2025年以降も展望した。CEOのPat Gelsinger氏(図1)は盛んに「Intel is back」という言葉を連発した。 [→続きを読む]
Texas Instrumentsは、これからの10Gbps EtherCATをはじめとする産業用高速ネットワーク向けの通信プロトコルやリアルタイム制御、モータの精密制御、装置間の同期をとりレイテンシの少ない応用に向けた高性能マイコン「Sitara AM243xシリーズ」を開発した(図1)。Industry 4.0やTSN、ローカル5Gなどこれからの工業用装置間でのデータ処理を狙う。 [→続きを読む]
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中国におけるAIチップのスタートアップが続出、フランスもAIチップを加速する。昨今の半導体不足はDRAMにも及ぶ。DRAMは今後、CPUやAIチップともセットで使われる。Samsungの簡単な売り上げと営業利益だけが発表され、6月30日のMicronの発表と併せ、再びDRAMはカルテル的な様相を見せ始めた。 [→続きを読む]
10万ゲートの中規模FPGAながら、パッケージ面積が81mm2しかない製品「CertusPro-NX」をLattice Semiconductorがサンプル出荷を開始した。Samsungの28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)プロセスを使っているため、SRAMベースのFPGAながらソフトエラー率が1/100 FITとかなり小さい。 [→続きを読む]
これからのプロセッサはドメインコントローラという専用プロセッサが進展しそうだ。VLSI Technology and Circuitsの基調講演で、AMDのCTO兼Technology & Engineering担当VPのMark Papermaster氏は、カスタムコンピュータ技術の時代が来るとして、ハードウエアもソフトウエアも一緒に最適化するコンピュータ技術が重要になる、と述べた。 [→続きを読む]
Micron Technologyは、昨年最大176層のNANDフラッシュメモリの開発を発表していたが(参考資料12)、このほどComputex Taipei 2021にて、そのチップを搭載したPCIe Gen4 SSDの出荷開始を発表した。加えて、DRAMでは最先端の微細化ノードである1α nmのDDR4x LPDRAMを出荷した。 [→続きを読む]
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米ニューヨーク州アルバニーにおけるIBM研究所が2nmデザインのナノシート技術を使ったトランジスタを開発、このトランジスタを500億個集積したICテストチップを300mmウェーハ上に試作した(図1)。IBMは、PowerアーキテクチャのCPUを独自に開発しているが、今年後半に7nmプロセスのPower10をリリースするため、2nmチップが登場するのは2025年以降になりそうと見られている。 [→続きを読む]
ウェーハスケールAIチップ開発のCerebras Systemsは、第2世代のウェーハスケールAIチップを開発した。最初のチップが16nmプロセスで製造されていたが、今回は7nmプロセスで作られており、総トランジスタ数は前回の1兆2000億トランジスタに対して2.6兆トランジスタとほぼ2倍になっている。その分チップ上の性能特性も2倍以上になっている。 [→続きを読む]
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世界的な半導体不足が報じられ、早くも各社が新工場の建設に動き出した。台湾の南亜科技は台湾北の新北市にあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場の稼働を6月に始める。Intelはファウンドリ事業の潜在顧客が50社いるとCEOのPat Gelsinger氏が21年第1四半期決算報告で述べた。 [→続きを読む]
Siemens EDA(旧Mentor Graphics)は、LSI設計をハードウエアレベルで検証するエミュレータVeloce(ベローチェと発音)の次世代版の検証システムを発表した。今回の検証システムでは、ハードウエアマシンだけではなく、協調設計で必要な仮想プラットフォームでのソフトウエア検証ツールVeloce HYCONを含め4製品を用意した。 [→続きを読む]
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