Texas Instrumentsは、DLP（Digital Lighting Processing）ディスプレイのコントローラ（図1）とDMD（Digital Micromirror Device）などのチップセットを一新させた。DMDはMEMS技術を使って、画素ごとに微小なアルミのミラーを操作して光を反射させるプロジェクタに使う半導体チップ。この度4KのUHD（Ultra-High Definition）ディスプレイ駆動チップセットを発売した。 [→続きを読む]
パワー半導体大手のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨年カナダのGaN Systemsを買収したことで、GaN開発が加速した。GaNパワー半導体は高速ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という特長を併せ持つ。 [→続きを読む]
ESGや気候変動に対するサステナビリティは半導体工場でも重要なテーマとなっている。パワー半導体とセンサのonsemiは、2030年までに工場で使う全エネルギーの50%を再生可能エネルギーに代えていく目標を持ち、脱カーボンに注力し効率アップを目指している。このほど来日した同社シニアVPでCMO（Chief Marketing Officer）のFelicity Carson氏にonsemiの脱カーボン戦略を聞いた。 [→続きを読む]
2023年6月にエイブリックの代表取締役社長執行役員に就任した田中誠司氏。2024年6月末には、経営のプロであり、エイブリックの会長兼ミネベアミツミの専務執行役員であった石合信正氏が退任され、田中社長はミネベアミツミの事業執行役を引き続き担っている。社長就任から1年経ち、エイブリックはどう変わったか。 [→続きを読む]
Texas Instrumentsは、POL（Point of Load）と呼ばれる電源用ICとして使う、出力6Aの小型電源用パワーモジュール「MagPack」を開発、サンプル出荷を開始した。出力6AのDC-DCコンバータでさえ、大きさは2.3mm×3mm×1.95mm（高さ）とボードに実装する面積が小さい。このためボードスペースを有効に使うことができる。 [→続きを読む]
2023年におけるSiCパワー半導体のトップ5社ランキングが発表された。これによると1位のSTMicroelectronicsは前年と同様だが、onsemiが前年の4位から2位に浮上した。トップ5社でSiCデバイス製品販売額の92%を占めているという。これは市場調査会社TrendForceが明らかにしたもの。SiCは電気自動車で今後の発展が見込まれる。 [→続きを読む]
GaNやSiCのような高速のパワー半導体は性能の優位性は明確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基板上で使いにくさが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを握ることをすでに伝えたが（参考資料1）、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール（図1）をTexas Instrumentsが開発した。 [→続きを読む]
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023年に新製品として発売していたが、このほどその背景について明らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子移動度も2000cm2/Vsと高く高速動作に適している。一方、高速すぎて使いにくい点もある。 [→続きを読む]
米中半導体戦争は、台湾に恩恵を及ぼしそうだ。米国政府は中国製半導体（中国でアセンブリされた米国製品を含む）の輸入に50%の関税をかけることを発表したが、これが台湾のファウンドリにとって有利に働く、と台湾系の市場調査会社TrendForceは見ている。4月に東京で開催された「2024年台湾半導体デー」（参考資料1）でも台湾のジャーナリストが述べていた言葉がそれを示唆していた。 [→続きを読む]
Infineon Technologiesは、第2世代のトレンチ構造のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について明らかにした。このG2（第2世代）では、オン抵抗を1桁ミリオームに下げると共に、熱抵抗を12%減らし電流容量を上げた。新製品は650Vと1200Vの2種類で、パッケージもピン挿入型と表面実装型を用意する。G2でパワーMOSFETのチップ設計から見直している。 [→続きを読む]
