セミコンポータル
半導体・FPD・液晶・製造装置・材料・設計のポータルサイト

パワー・パワーマネジメント

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 次のページ »
|
7月21日に日刊工業新聞が報じた、「新潟にパワー半導体共同工場 経産省支援、23年度事業化」という記事が半導体業界の中で、真偽を巡るうわさに包まれた。経済産業省が支援するということから、どこまで事実なのか、という疑念を抱いての噂話となっている。 [→続きを読む]
TIは、EMI(電磁波干渉)を削減させたパワーマネジメントICを続々発表、これからの車載を始め工業用途への応用を狙っている。DC-DCコンバータをはじめとする電源ICは、特に車載用ではEMI削減は絶対条件となる。EMIは特にスイッチングレギュレータのようにオン/オフの切り替えが激しいと発生しやすい。TIの最新EMIノイズ削減技術を紹介する。 [→続きを読む]
|
ルネサスエレクトロニクスが英国とドイツ、米シリコンバレーに活動拠点を置くDialog Semiconductorを49億ユーロ(約6157億円)で買収することで両社合意した。Dialogは、PMIC(電源IC)やLEDドライバ、アナログ回路搭載のFPGAであるCMICなどで高い技術力を誇る会社だ。この1年でルネサスはグローバル企業に変身中だ。両社の合併は成長するための製品ポートフォリオをもつことになる。 [→続きを読む]
|
SiC専門のパワー半導体メーカー米UnitedSiC社が耐圧750Vと高く、オン抵抗が18mΩ/60mΩと低いSiCパワーFET(図1)をリリースした。狙う市場は主に電動自動車(EV)とデータセンターの電源、ソーラーシステム用のインバータや蓄電池向けチャージャー。EV向けのオンボードチャージャーとDC-DCコンバータ向けなどはすでに出荷中だとCEOのChris Dries氏は言う。 [→続きを読む]
パワー半導体の巨人Infineon Technologiesが、冬の時代を迎えているパワー半導体への次の手を打ち始めた。シリコンのパワーMOSFETやIGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTなどパワー半導体の製品ポートフォリオを広げ、しかもクルマ市場をにらみながら新型コロナ後を狙って着々と準備を進めている。 [→続きを読む]
|
GaNパワーデバイスが立ち上がりそうだ(図1)。2019年9月に中国大手スマートフォンメーカーOppoがGaNパワーICを高速充電回路に採用したことを受け、GaN半導体が急速に立ち上がるという予想を市場調査会社のYole Developpementが打ち立てた。民生市場での採用はGaN市場が大きくなるという意味である。 [→続きを読む]
|
今年のノーベル化学賞は、リチウムイオン電池の発明者である米国テキサス大学オースチン校のJohn Goodenough氏、ニューヨーク州立大学ビンガムトン校のStanley Whittingham氏と共にリチウムイオン2次電池の実用化にこぎつけた、旭化成の名誉フェロー、吉野彰氏が受賞した。今年の授賞理由は一般にもわかりやすい業績である。 [→続きを読む]
|
薄膜技術による全固体リチウムイオン電池は、半導体プロセス技術で製造するウェーハベースのバッテリ製造技術であるが、医療用に人体に埋め込む用途では10年以上使えるメドが立った。英国のファブレス企業Ilika(イリカと発音)社は、新型電池Stereax M50を開発、生体埋め込み可能な応用としてその製造方法をライセンス開始した。 [→続きを読む]
|
Infineon Technologiesが強いパワー半導体を戦略的な投資によってさらに強くする。オーストリアのフィラハ工場に2番目の300mmラインを導入、硬いSiCのインゴットから簡単にウェーハをカットできる技術を持つSiltectra社を買収、中国で電気自動車の製造・販売会社を合弁で設立するなど、クルマや産業向けに積極的に投資し未来を盤石にする。 [→続きを読む]
|
SiCパワーMOSFETが従来のIGBT(Integrated Gate Bipolar Transistor)に取って代わると言われ続けて数年たったが、SiCパワー半導体の特性向上は着実に進んでいる。性能を競うというより、実用化を加速する動きが出てきた。また、IoTを駆使して生産性を上げるデジタルトランスフォーメーションが始まった。 [→続きを読む]
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 次のページ »

月別アーカイブ

セミコンポータルはこんなサービスを提供します