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メモリ

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メモリがこれからのシステムの中心になる。こういった動きがGSA Memory+ Conferenceで登場した。これからのメモリを探る上でメモリセル単体から、データセンターのようなシステムレベルでのメモリの高速化、大容量化につながるCXL(Compute Express Link)インターコネクト、3D-NANDに刺激された3D-NORへの道など、新しいメモリの動きが明らかになりつつある。 [→続きを読む]
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中国におけるAIチップのスタートアップが続出、フランスもAIチップを加速する。昨今の半導体不足はDRAMにも及ぶ。DRAMは今後、CPUやAIチップともセットで使われる。Samsungの簡単な売り上げと営業利益だけが発表され、6月30日のMicronの発表と併せ、再びDRAMはカルテル的な様相を見せ始めた。 [→続きを読む]
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世界的な半導体不足が報じられ、早くも各社が新工場の建設に動き出した。台湾の南亜科技は台湾北の新北市にあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場の稼働を6月に始める。Intelはファウンドリ事業の潜在顧客が50社いるとCEOのPat Gelsinger氏が21年第1四半期決算報告で述べた。 [→続きを読む]
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先週ショッキングなニュースが流れた。Micron Technologyか、Western Digitalがキオクシアを買収する可能性を検討していると、米国経済紙Wall Street Journalが報じた(参考資料1)。このWSJの報道を受けて、日本経済新聞(参考資料2)や通信社ロイターや、ITビジネス流通系メディアのCRN(参考資料3)やビジネスニューステレビのCNBC(参考資料4)、ダウジョーンズ発行のITビジネスメディアのBarron’sも報じた(参考資料5)。 [→続きを読む]
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NANDフラッシュの主要企業の直近2020年第4四半期における売上額ランキングが発表された。NANDフラッシュ全体の市場は前期比2.9%減の140億9900万ドルとやや伸びが鈍化した(図1)。中国華為科技への出荷が9月15日以降停まったことに加え、在庫調整による。特にキオクシアの打撃が最も大きく11.4%減となった。 [→続きを読む]
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Micron Technologyが初めて1α(アルファ) nm(15nm以下とみられる)のプロセスで設計・製造したDRAMの量産を発表した。これまでDRAMプロセスでは、20nm以下の設計ルールを1x (19〜18)nm 、1Y nm (17〜16)、1z (16〜15) nm、と小刻みに刻んできた。今回は1z nmよりも1段微細なプロセスで作ったということになる。 [→続きを読む]
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チップ同士を重ね合わせる3次元ICが本格化する。メモリメーカーのMicron Technologyが176層のNANDフラッシュを開発した技術(参考資料1)を明らかにした。実は88層のNANDフラッシュメモリセルを重ね合わせて構成していた。 [→続きを読む]
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韓国のSK Hynixは、Intelが中国の大連工場に持つNANDフラッシュとストレージ事業を90億ドルで買収すると発表した。NAND製品とウェーハプロセス事業も含む。SKにとって最大のライバルはSamsung。そのためにキオクシアにも資本参加してきた。Intelは、3D-Xpointメモリ製品であるOptane製品事業に関しては手放さない。 [→続きを読む]
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ArmのメモリIP部門が独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した(参考資料1)。Ce(Correlated Electron)RAMと呼ぶ、強相関電子系の材料を使った不揮発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。強相関電子系とは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→続きを読む]
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Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm(15nm前後)プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量産を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ需要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演算にも必ず使うため、今後の需要の期待が大きい。1パッケージに8枚のDRAMチップを重ね、16GBを構成している(図1)。 [→続きを読む]
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