メーカーとサプライヤの関係が逆転するTSMCとNvidiaの新技術
メーカーとサプライヤとの関係がひっくり返る事例がNvidiaとTSMCとの間に見られる。これまではファブレス半導体としてのNvidiaが設計したチップをTSMCが製造するという関係だった。今度はTSMCがメーカーとなり、プロセス中によく使うリソグラフィ工程でより正確なマスクを作製するための計算に、サプライヤであるNvidiaのGPUを利用するのだ。 [→続きを読む]
メーカーとサプライヤとの関係がひっくり返る事例がNvidiaとTSMCとの間に見られる。これまではファブレス半導体としてのNvidiaが設計したチップをTSMCが製造するという関係だった。今度はTSMCがメーカーとなり、プロセス中によく使うリソグラフィ工程でより正確なマスクを作製するための計算に、サプライヤであるNvidiaのGPUを利用するのだ。 [→続きを読む]
IEDM(International Electron Devices Meeting)2024の内容が明らかになった。70周年を迎える今年は、「明日の半導体技術を形作る」という全体テーマで、基調講演、一般講演だけではなく、フォーカスセッションやチュートリアル、ショートコースなど270件の講演が予定されている。例年通り米サンフランシスコのヒルトンホテルで12月7日から開催される(図1)。 [→続きを読む]
産業技術総合研究所は、ペロブスカイト構造の太陽電池の実用化に向け、自動作製システムを試作した。ペロブスカイト太陽電池は、変換効率がシリコン以上の高い効率を示す試作は多いが、バラつきが大きいと共に、経時変化が大きく劣化しやすい、大面積が難しいなどの問題が山積み。少しでも手作業による作製ではなく自動機によってバラツキを減らす狙いで装置を開発した(図1)。 [→続きを読む]
リソグラフィ最大手ASMLはIntelのオレゴン工場にHigh-NA(Numerical Aperture:開口数)のEUV装置を初出荷したが、海外複数のメディアによると、早くも次のHyper-NAのEUV装置開発が始まりそうだ。従来のEUV装置のNAは0.33でHigh-NA装置は0.55、そしてこれから開発するHyper-NAは0.75となり、これまで以上に微細加工が可能になる。 [→続きを読む]
MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems)の国際会議「The 15th MEMS Engineer Forum」が先月、東京で開催された。MEMSデバイスは、加速度センサ・圧力センサからマイクロフォン、RFフィルタ、超音波トランスデューサなどさまざまな応用に使われてきた。欧州勢は、自動車市場やスマホ市場などでMEMSデバイスを発展させた。次のMEMSデバイスは何か。 [→続きを読む]
TSMCは2024Technology Symposiumをカリフォルニア州サンタクララで開催、2nmの次の1.6nmに相当する技術を発表した。先週、2024年第1四半期(1Q)における各社の決算が発表された。Intel、SK hynix、ルネサスエレクトロニクス、ソシオネクストなどが決算を発表。生成AI向けの学習ソフトを軽くするという動きもあり、AIプロセッサを集積するSoCへの期待が膨らむ。 [→続きを読む]
VLSI Symposium(正式名称:2024 Symposium on VLSI Technology and Circuits)2024の概要が決まった。今回の特長は、投稿論文数、採用論文数ともここ10年で最も多いことだ。特に韓国からの採用論文が最も多く、Technology、Circuitsを合わせた全採用論文232件の内、54件と北米と同数になった(図1)。次に多いのが中国(37件)、そして欧州(36件)、台湾(26件)、日本(18件)、シンガポール(8件)、インド(1件)となった。 [→続きを読む]
前工程でも後工程でもない「中工程」と言われる先端パッケージング技術を、つくばにあるTSMCジャパン3DICセンターが徐々に明らかにしている。またToppanがサブストレート基板の工場をシンガポールに新設する。2.5D/3D-ICなどの先端パッケージはクルマでも採用されそうだ。ASRA(自動車用先端SoC技術研究組合)の狙いはチップレット。 [→続きを読む]
先週は半導体にとって大きな出来事が3件起きた。一つは、Nvidiaの2024年度第4四半期(2023年11月〜24年1月期)の決算発表があり、Intelを抜いて世界半導体のトップに躍り出たこと、二つ目はIntelがイベントを開催、AI時代のシステムファウンドリになると宣言したこと、三つ目はTSMCが熊本県菊陽町に建設を終えたJASM(Fab23)が完成し、開所式を行ったことだ。 [→続きを読む]
Si基板上にGe層を短時間で安価に作製する方法を東洋アルミニウムが開発した。Ge層の厚さを自由に変えられるだけではなく、ストイキオメトリ(化学組成)も制御できる。今のところ高価なGaAs系半導体向けの基板としての道を提案している。安価な太陽電池やSiフォトニクス、スピントロニクスなどの基板材料への応用を狙っている。 [→続きを読む]