SPIフォーラム
これからのメモリを考える

~NANDフラッシュ、DRAM、NVMの将来は?

(木) -16:10
会場:オンライン
主催:株式会社セミコンダクタポータル

NANDフラッシュの高層化、DRAMの高速化、それらの間を埋めるストレージクラスメモリやNVM、メモリは今後どうなっていくのでしょうか。 ビジネス的にはNANDフラッシュは、Samsung、キオクシア、Western Digital、Micron、SK Hynixと5社が入り混じり、中国のYMTCも3D-NANDを出荷しています。 DRAMはSamsung、SK Hynix、Micronの3社が市場の95%以上を占めています。 また、不揮発性RAMをはじめとする新しいメモリも提案され、場合によっては、メモリはこれまでの勢力地図をがらりと変えることになりかねません。 市場、システムの両面から国内を代表するアナリストにこれからのメモリについて語っていただきます。 加えて、3nmノード以降にFinFETに代わりGAA(ゲートオールアラウンド)FETが登場すると見られていますが、それを縦構造にしたSGT(サランディングゲートトランジスタ)構造を使う新型メモリDFM(ダイナミックフラッシュメモリ)を開発したUnisantis社も講演します。 セミコンポータルはこれからも、日本の半導体が再び世界に羽ばたけるように必要な情報を提供できるように頑張っていきたいと思います。 SPIフォーラム「これからのメモリを考える~NANDフラッシュ、DRAM、NVMの将来は?」にぜひ、ご参加ください。

※本講演はZoomを使用したオンラインセミナーです。
※講演は録画させていただきますが、Q&Aは非公開とします。

お申込み

参加費用(税込)

セミコンポータル会員
¥16,500
一般
¥33,000

*セミコンポータルのパートナー会員企業には一定の無料招待枠があります。

プログラムスケジュール

13:30 開会の挨拶と趣旨
セミコンポータル編集長
津田 建二
13:45 今後のメモリ市場の展開(仮題)
Omdia
シニアアナリスト 南川明氏
14:30 DRAM、NAND、3番目の柱となる Dynamic Flash Memory (DFM)
Unisantis Electronics Singapore
Executive Technical Manager 作井康司氏、CTO 原田望氏
15:15 ブレーク
15:25 今後のシステム動向から見たメモリの行方(仮題)
グロスバーグ
代表 大山聡氏
16:10 閉会