SPIフォーラム「出番が来たSiC、GaNパワー半導体とその未来」

これまで期待の大きかったSiCやGaNパワー半導体の市場がようやく立ち上がりつつあります。
SiCは2019年、Teslaの電気自動車（EV）「モデル3」に採用され、今のところ事故の報告もなく無事走り続けています。4年間信頼性上の問題もなく走行していることからSiCに移行するクルマメーカーが増えています。
GaNは効率の高さからスマートフォンの電源アダプターに採用されており、新興のNavitasやPower Integrationsが1位、2位争いを演じています。スマホからPCやクルマ、さらには再生可能エネルギーのパワーコンバータなどにも応用が開けています。

SiC、GaN共に市場の立ち上がり、これからの方向性を、SiCとGaNの当事者に講演していただきます。SiCのハイパワーデバイス応用を元ロームでSiCデバイスを開発、現在大阪大学でSiC応用技術に取り組んでいる中村孝氏に、GaNデバイスの常識を変える高耐圧化に成功した元ソニー技術者であるパウデック社の八木修一氏に語っていただきます。

SiC、GaNとも応用をしっかり見据えておかないと、市場で勝てない時代になりました。
このセミナーでは、到来するSiC/GaN時代のパワー半導体とその未来を感じていただけると思います。

セミコンポータルは、日本の半導体が再び世界に羽ばたけるように必要な情報を提供していきたいと思います。SPIフォーラム「出番が来たSiC、GaNパワー半導体とその未来」にぜひ、ご参加ください。

※本講演はZoomを使用したオンラインセミナーです。
※講演は録画させていただきますが、Q&Aは非公開とします。

プログラムスケジュール

13:30 - 13:35	開会の挨拶と趣旨セミコンポータル編集長津田　建二
13:35 - 14:20	SiC、GaNの市場動向とビジネス動向セミコンポータル編集長津田　建二
14:20 - 15:10	SiCパワーデバイスの最新動向と超高電圧機器への応用大阪大学特任教授 / ネクスファイ・テクノロジー株式会社代表取締役中村　孝氏
15:10 - 15:20	ブレーク
15:20 - 16:10	超高耐圧を可能にした分極超接合(PSJ)GaN デバイス株式会社パウデック取締役CTO 八木　修一氏
16:10	閉会

プログラムは変更される可能性があります。

SPIフォーラム
「出番が来たSiC、GaNパワー半導体とその未来」

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