HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へ意気込むSK hynix
SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新規格Zoned UFS(あるいはZUFS 4.0)製品を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024年第3四半期に量産する計画である。経時劣化を改良し製品寿命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功に続き、NANDでもAI応用メモリでの成長を狙う。
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