カーエレクトロニクス

経営の混乱が続いていた東芝は、投資ファンドの日本産業パートナーズ（JIP）と国内連合20社超による東芝へのTOB（株式公開買い付け）が成立した、と発表した。東芝は年内にも上場廃止となる見通し。また、SiCやGaN材料を利用したパワー半導体への投資が盛んになってきた。けん引力はもちろん電気自動車（EV）だが、サーバー用電源も見込まれている。 [→続きを読む]

ようやく半導体や蓄電池などの成長産業メーカーへの税制優遇が達成できそうになってきた。これまで世界では工場誘致での税制優遇策を講じてきていたが、日本では税制優遇がなく他国へ流れたケースが多かった。半導体投資にも弾みがつきそうだ。蓄電池も電気自動車だけではなく再生可能エネルギーにも有効で、日本での取り組みを加速させる。 [→続きを読む]

ガレージ実験室から始まったHewlett-Packard社をルーツに持つKeysight TechnologyがSiCやGaNなど高速パワーデバイスのダイナミック特性を測る計測器「PD1550A」（図1）をKeysight World 2023で展示した。もともと高周波測定機に強いKeysightが、パワー半導体の測定にもその強みを発揮する。特にSiCのスイッチング動作に悩まされてきたエンジニアには福音となる。 [→続きを読む]

夏休みに入った企業が多い中、米国の対中政策がまた一段と厳しくなった。米国では、中国への輸出ではなく中国への出資をきびしく制限する法律が出てきた。8月9日、バイデン大統領は、先端技術、すなわち半導体、AI、量子情報技術を中国で投資することを禁止あるいは制限する法案にサインした。また、TSMCが欧州に設立する工場の概要が明らかになった。 [→続きを読む]

パワー半導体市場が一般産業用から自動車用へと拡大するにつれ、SiCパワーMOSFET市場も拡大している。それに合わせて新工場の設立や8インチ化の開発が進んでいる。車載市場もこれまでのEV（電気自動車）化からインホィールモーター（IWM）や、ステアリング-バイ-ワイヤー（Steering by Wire）などへ拡大、SiCやGaNの市場は拡大する勢いだ。 [→続きを読む]

市場ではクルマと産業向け半導体にフォーカスし、製品ではパワーとイメージセンサにフォーカスする。米onsemiの戦略が明確になって以来、同社は半導体不況の中でも、成長し続けている。絶好調だった昨年の第1四半期と比べ売り上げを落とす多くの半導体企業の中で、今年の第1四半期もわずかながらプラス成長を果たした。1年前、日本法人代表取締役社長に就任した林孝浩氏に同社の秘訣を聞いた。 [→続きを読む]

半導体の開発拠点や工場を新設する動きが相次ぐ中、半導体ユーザーである米国IT業者を自治体が誘致し始めた。日本のITは世界では圧倒的に弱いため、これを強化する必要がある。Microsoftは神戸市にAI Co-innovation Labsを設立する。半導体側もキオクシアや、SUMCO、SCREEN、凸版などがポスト半導体不況に向け新拠点・工場を設立する。 [→続きを読む]

これからのクルマは、ソフトウエア定義のクルマ（Software-defined Vehicle）になると言われているが、SD-Vとは何か、コンピュータやドメインコントローラやゾーンコントローラとは何が違うのか、明確な説明が実はあまりなされてこなかった。NVIDIAのCEOであるJensen Huang氏は、MediaTekとの提携の中ではっきりと定義した。 [→続きを読む]

Texas Instruments（TI）が開発したSiCパワートランジスタ向けのゲートドライバIC製品「UCC5880-Q1」は、SiCパワーMOSFETの欠点を解消したドライバICだ（図1）。SiCはIGBTと比べ、少数キャリアの蓄積時間がない分、高速にスイッチできる。しかし、オーバーシュートやリンギングなどのノイズを発生しがちになる。TIのチップはこの欠点を解消した。 [→続きを読む]

東芝の半導体部門である東芝デバイス&ストレージ社がパワー半導体工場である加賀東芝エレクトロニクスに300mmウェーハプロセスラインを設ける理由が明らかになった。加賀東芝は2023年4月に300mm対応のパワー半導体新製造棟の起工式を行い、2024年度内での稼働を予定しているが、地味なパワー半導体は供給過剰にならないだろうか。 [→続きを読む]