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メモリ

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この1週間はニュースが盛りだくさんで、中国のDRAM計画、NTTとNECの通信提携、TSMC対Samsungレポート、そしてシリコンバレーのVCであるSequoia Capitalの日本進出、スーパーコンピュータ富岳の世界一などがあった。これらのニュースの大半に共通するのは米中貿易戦争との深い関係であることが読み取れる。 [→続きを読む]
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中国のNANDフラッシュメモリメーカーYMTCが1.33TビットのNANDフラッシュを開発した。128層のこのメモリ「X2-6070」は、SSD向けでコントローラICパートナーとのコラボにより、SSD動作を確認した。QLC(4ビット/セル)構成になっている。 [→続きを読む]
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Gartnerは2020年の半導体デバイス市場の予測を新型コロナウイルス感染の影響を含めて、前年比0.9%減の4154億ドルと見積もった。前回2月は3月末で収束としていた予想を、今回は長く続くとして見積もり直した。 [→続きを読む]
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半導体メーカー5社が2019年シリコンウェーハ生産能力の53%を占めた。このような結果をIC Insightsが発表した。Samsung、TSMC、Micron、SK Hynix、キオクシア/Western Digitalグループ、の5グループ(6社)である。メモリメーカー4グループ(5社)とファウンドリ1社が製品を大量に生産するための能力を高めている。 [→続きを読む]
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旧東芝メモリのキオクシアの社長がこれまでの成毛康雄氏から早坂伸夫氏に交替することが決まり、その1週間前にはSSDフォーラムを開催するなどキオクシアが活発に情報発信している。SSDフォーラム2020では最近のSSDやNANDフラッシュの活動を明らかにし、NANDフラッシュメモリを5ビット/セルとして動作させることに成功したと発表した。 [→続きを読む]
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今年の景気は悪くないといわれているが、今や全半導体販売額の3割にも達していたメモリの動向がある意味、景気の指数となってきた。このほどメモリのトップ3社であるSamsung、SK Hynix、Micron Technologyの最新決算レポートが揃った。韓国2社はカレンダー年と同じ四半期(10~12月)だが、Micronは異なる四半期(9~11月)となっている。 [→続きを読む]
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2019年の世界の半導体市場は、前年比11.9%減の4183億ドルになったとGartnerが発表した(参考資料1)。上位10社の半導体メーカーのトップはやはりIntelが返り咲いた(表1)。Samsungはメモリバブルがはじけ2位に落ちた。 [→続きを読む]
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中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash(中天弘宇集成電路)と呼ばれるファブレスだ。製造はファウンドリに依頼する。今から市場に入る以上、特長が必要だが、これまでの中国のメモリメーカーとは全く違う。後述するが、新開発の独自メモリ技術を持ち、元IntelのStefan Lai氏(図1)がCTOとなっている企業だ。 [→続きを読む]
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NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10年に渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構想をMicron Technologyが打ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども明確にした。 [→続きを読む]
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NANDフラッシュアレイ製品やソフトウエアをビジネスとしているPure Storage社がQLC(4ビット/セル)方式のフラッシュメモリを採用した製品を発表、ストレージクラスメモリをキャッシュとして用いる選択肢も提示した。「All Flash Arrayを発明して10年経った」と述べる同社戦略部門VPのMatt Kixmoeller氏がこのほど最新状況を紹介した。 [→続きを読む]
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