2023年、SiCパワーデバイスのトップ5社ランキング
2023年におけるSiCパワー半導体のトップ5社ランキングが発表された。これによると1位のSTMicroelectronicsは前年と同様だが、onsemiが前年の4位から2位に浮上した。トップ5社でSiCデバイス製品販売額の92%を占めているという。これは市場調査会社TrendForceが明らかにしたもの。SiCは電気自動車で今後の発展が見込まれる。 [→続きを読む]
パワー･パワーマネジメント
TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを製品化
GaNやSiCのような高速のパワー半導体は性能の優位性は明確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基板上で使いにくさが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを握ることをすでに伝えたが（参考資料1）、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール（図1）をTexas Instrumentsが開発した。 [→続きを読む]
Analog Devices、GaNパワーFETを駆動するシリコンICでGaN回路設計を容易に
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023年に新製品として発売していたが、このほどその背景について明らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子移動度も2000cm2/Vsと高く高速動作に適している。一方、高速すぎて使いにくい点もある。 [→続きを読む]
台湾のファウンドリ、米中半導体戦争をしり目に漁夫の利狙う
米中半導体戦争は、台湾に恩恵を及ぼしそうだ。米国政府は中国製半導体（中国でアセンブリされた米国製品を含む）の輸入に50%の関税をかけることを発表したが、これが台湾のファウンドリにとって有利に働く、と台湾系の市場調査会社TrendForceは見ている。4月に東京で開催された「2024年台湾半導体デー」（参考資料1）でも台湾のジャーナリストが述べていた言葉がそれを示唆していた。 [→続きを読む]
Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング技術で性能・信頼性を向上
Infineon Technologiesは、第2世代のトレンチ構造のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について明らかにした。このG2（第2世代）では、オン抵抗を1桁ミリオームに下げると共に、熱抵抗を12%減らし電流容量を上げた。新製品は650Vと1200Vの2種類で、パッケージもピン挿入型と表面実装型を用意する。G2でパワーMOSFETのチップ設計から見直している。 [→続きを読む]
電源用ICの効率アップに賭けるTI、GaNパワーFETやトランス内蔵製品も
電源アダプタの大きさを見れば、電源用ICの実力がわかる。パソコンや電気製品の電源アダプタは最新なものほど小さくなっている。自動車内やデータセンターなどでも電源は、より小さくなってきている。アナログ半導体トップのTexas Instruments社は電源の小型化を目指し、より効率を上げる回路や材料などに力を入れている。このほど2種類の小型電源ICを発表した。 [→続きを読む]
新工場の立ち上げを支援するXceleratorの事例をSiemensが公開
半導体や製造装置、材料など全ての工場でのデジタル化を推進するための統合ソフトウエアSiemens Xceleratorをバッテリ工場に適用した事例をSiemensが明らかにした。かつての3D-CADソフトは今や半導体の世界、特に先端パッケージでは欠かせない存在となりつつある。Siemensだけではなく、仏Dassault Systemesや米PTCなども半導体産業にやってきている。 [→続きを読む]
GaNパワー半導体の逆バイアス試験方法がJEDEC標準となった
化合物パワー半導体のGaNデバイスの逆バイアス信頼性評価法（図1）がJEDECで標準化された（参考資料1）。JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）はメモリのピン配置などの標準化をみんなで決めるための世界的な標準化団体。ここで決まった仕様は半導体製品の標準となり、製品の普及だけではなくコストを下げる役割もある。 [→続きを読む]
SiC、車載向け800Vインバータ、OBCの実回路を示す時代へ、GaNも車載可能に
SiC・GaNのWBG（Wide Band Gap）半導体がもはや単体ではなくシステムボードを競い合う時代に入った。東京ビッグサイトで開かれたオートモーティブワールド2024では、パワー半導体トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコ勝負を見せた。InfineonがGaN応用製品ポートフォリオを示し、STは8インチウェーハSiCデバイスとシステムを見せた。 [→続きを読む]
パワー半導体、AIチップ、税制優遇など政府の手厚い支援、続出
ロームと東芝デバイス&ストレージ（図1）が申請していたパワー半導体の供給確保計画を経済産業省が認定し、両社に補助金が交付されることが決まった。首相および経産大臣がNvidia CEOのJensen Huang氏と会いGPUの日本への供給確保を要請した。政府はAIチップにも補助金を支援する。政府は半導体など生産量に応じて税優遇する仕組みを提案している。法人税の上限額を20%とする。 [→続きを読む]
