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メモリ企業Micronの最新業績から、見えてくる景気動向

メモリ企業Micronの最新業績から、見えてくる景気動向

米Micron Technologyの2024年度第4四半期(2024年6〜8月期)の業績が日本時間26日に発表された。これによると、売上額は前年同期比93%増の77.5億ドルとなった。営業利益も同利益率19.6%の15.2億ドルとほぼ復調した。またキオクシアが東京証券取引所への上場時期を11月以降に延期すると25日の日本経済新聞が報じた。 [→続きを読む]

キオクシア、ソニー、TELの決算報告から読み取れるもの

キオクシア、ソニー、TELの決算報告から読み取れるもの

お盆休みに入る前の先週、キオクシアやソニーセミコンダクタソリューションズ、東京エレクトロン(TEL)などの2024年第2四半期(4〜6月期)の決算が発表された。それによれば、半導体メーカー2社は順調な回復を見せ、TELは中国比率が約50%にまで高まっていた。半導体製品の需要は少しずつ回復しているが、装置需要の回復はやや遅い。 [→続きを読む]

Intel、Samsungが各々Lunar Lake、メモリで期待するAIパソコン市場

Intel、Samsungが各々Lunar Lake、メモリで期待するAIパソコン市場

先週、IntelおよびSamsungの2024年度第2四半期(4〜6月期)の決算がそれぞれ発表された。Intelは、売上額が前四半期、前年四半期とほぼ同じ128億ドルだったが、営業利益はほぼゼロという結果であった。Samsungの半導体部門の売上額は、前年同期比ほぼ2倍、前期比でも23%増の28兆5600億ウォン(1ウォン=0.00073ドル)で、営業利益は6.45兆ウォンだった。 [→続きを読む]

メモリビジネスは好調に、産業向け非メモリはまだ不調続く

メモリビジネスは好調に、産業向け非メモリはまだ不調続く

メモリビジネスは好調、産業向け非メモリビジネスはまだ不調。このようなビジネス状況が浮かび上がった。2024年第2四半期(4〜6月期)におけるメモリの韓国SK hynixの売上額は、前年同期比(YoY)2.25倍の16兆4230億ウォン(1ウォン=0.11円)と好調だったのに対して、マイコンとSoC、アナログのルネサスエレクトロニクスの売上額は同2.7%減の3588億円となった。 [→続きを読む]

2024年のNANDフラッシュ売上額は前年比77%増の674億ドルに成長

2024年のNANDフラッシュ売上額は前年比77%増の674億ドルに成長

2024年におけるNANDフラッシュとDRAMのメモリの売上額は前年比でそれぞれ77%、75%と大きく伸びるだろうと、TrendForceが発表した。在庫がほぼ一掃され需給状況が改善、平均単価も上がってきたためだ。メモリはようやく回復が本物になり、来年は大きく成長すると見込んでいる。 [→続きを読む]

テキサス州が半導体産業に14億ドル補助、メモリはHBM競争に

テキサス州が半導体産業に14億ドル補助、メモリはHBM競争に

米国のテキサス州が半導体産業に14億ドル(約2300億円)を補助すると7月6日の日本経済新聞が報じた。Samsung電子は2024年4~6月期の営業利益が10兆4000億ウォン(約1兆2100億円)だったと発表した。メモリ市況は回復しつつあり、SK Hynixは2028年までの5年間に12兆円を投資すると発表、キオクシアも新技術開発により2Tビット品をサンプル出荷した。 [→続きを読む]

HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へ意気込むSK hynix

HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へ意気込むSK hynix

SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新規格Zoned UFS(あるいはZUFS 4.0)製品を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024年第3四半期に量産する計画である。経時劣化を改良し製品寿命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功に続き、NANDでもAI応用メモリでの成長を狙う。 [→続きを読む]

生成AIやHPC市場に向け、HBM製品の競争始まる

生成AIやHPC市場に向け、HBM製品の競争始まる

長いゴールデンウィークが開け、その間DRAMメーカーのHBM(High Bandwidth Memory)への開発が続々発表された。これまで圧倒的にリードしてきたSK Hynixに続きSamsung、さらにMicron TechnologyなどがHBM製品をサンプル出荷している。2日にはファウンドリPSMCが新工場を台湾に設立、半導体産業は攻めの姿勢を見せた。 [→続きを読む]

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量産開始

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量産開始

Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を持つ、クライエントSSD(半導体ディスク)「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC(Quad Level Cell)を持つNANDフラッシュ(図1)を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量産を開始した。 [→続きを読む]

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