韓国SK hynixがこれまで最高層数となる321層のNANDフラッシュの生産を2025年前半に開始すると発表、米Micron Technologyは従来製品の20%消費電力の低い60TB（テラバイト）のSSD（半導体ディスク）を開発、顧客向けの認証プロセスを開始した。共にTLC（3ビット/セル）方式のNANDフラッシュで、今後の市場回復に向けて新製品を出してきた。 [→続きを読む]
米Micron Technologyの2024年度第4四半期（2024年6〜8月期）の業績が日本時間26日に発表された。これによると、売上額は前年同期比93%増の77.5億ドルとなった。営業利益も同利益率19.6%の15.2億ドルとほぼ復調した。またキオクシアが東京証券取引所への上場時期を11月以降に延期すると25日の日本経済新聞が報じた。 [→続きを読む]
世界のDRAMビジネスが回復、2024年第2四半期（2Q）おけるDRAM産業の売上額は前年同期比（YoY）2倍、前四半期比（QoQ）24.8%増の229億ドルになった。トップのSamsungはYoYで2.17倍の98億ドル、2位のSK hynixは2.30倍の79億ドルと2倍以上の増加である。 [→続きを読む]
お盆休みに入る前の先週、キオクシアやソニーセミコンダクタソリューションズ、東京エレクトロン（TEL）などの2024年第2四半期（4〜6月期）の決算が発表された。それによれば、半導体メーカー2社は順調な回復を見せ、TELは中国比率が約50%にまで高まっていた。半導体製品の需要は少しずつ回復しているが、装置需要の回復はやや遅い。 [→続きを読む]
先週、IntelおよびSamsungの2024年度第2四半期（4〜6月期）の決算がそれぞれ発表された。Intelは、売上額が前四半期、前年四半期とほぼ同じ128億ドルだったが、営業利益はほぼゼロという結果であった。Samsungの半導体部門の売上額は、前年同期比ほぼ2倍、前期比でも23%増の28兆5600億ウォン（1ウォン=0.00073ドル）で、営業利益は6.45兆ウォンだった。 [→続きを読む]
メモリビジネスは好調、産業向け非メモリビジネスはまだ不調。このようなビジネス状況が浮かび上がった。2024年第2四半期（4〜6月期）におけるメモリの韓国SK hynixの売上額は、前年同期比（YoY）2.25倍の16兆4230億ウォン（1ウォン=0.11円）と好調だったのに対して、マイコンとSoC、アナログのルネサスエレクトロニクスの売上額は同2.7%減の3588億円となった。 [→続きを読む]
2024年におけるNANDフラッシュとDRAMのメモリの売上額は前年比でそれぞれ77%、75%と大きく伸びるだろうと、TrendForceが発表した。在庫がほぼ一掃され需給状況が改善、平均単価も上がってきたためだ。メモリはようやく回復が本物になり、来年は大きく成長すると見込んでいる。 [→続きを読む]
米国のテキサス州が半導体産業に14億ドル（約2300億円）を補助すると7月6日の日本経済新聞が報じた。Samsung電子は2024年4~6月期の営業利益が10兆4000億ウォン（約1兆2100億円）だったと発表した。メモリ市況は回復しつつあり、SK Hynixは2028年までの5年間に12兆円を投資すると発表、キオクシアも新技術開発により2Tビット品をサンプル出荷した。 [→続きを読む]
SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新規格Zoned UFS（あるいはZUFS 4.0）製品を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024年第3四半期に量産する計画である。経時劣化を改良し製品寿命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功に続き、NANDでもAI応用メモリでの成長を狙う。 [→続きを読む]
長いゴールデンウィークが開け、その間DRAMメーカーのHBM（High Bandwidth Memory）への開発が続々発表された。これまで圧倒的にリードしてきたSK Hynixに続きSamsung、さらにMicron TechnologyなどがHBM製品をサンプル出荷している。2日にはファウンドリPSMCが新工場を台湾に設立、半導体産業は攻めの姿勢を見せた。 [→続きを読む]
